Показан инженерный образец Intel Sapphire Rapids Xeon с двойным кристаллом

На форуме ServeTheHome, пользователь «111alan» опубликовал изображения предполагаемого процессора от Intel Sapphire Rapids Xeon. Как мы видим,

Sapphire Rapids Xeon будет построен с использованием 10 нм техпроцесса. Сокетный разъем LGA4677 с 4677 контактами. Ожидается, что новый сокет и процессоры Sapphire Rapids Xeon будут представлены только в следующем году.

Новая платформа Intel Sapphire Rapids Xeon будет иметь контроллер памяти DDR5, протокол PCIe 5.0, поддержку CXL 1.2 и много других нововведений.

Источник